三款DFB激光器芯片，人工智能等高帶寬、低功耗場景可用

電子發燒友網報道（文/李彎彎）在光通信行業蓬勃發展的款D寬低可用當下，數據量的激光爆炸式增長以及新興技術如5G、人工智能等的器芯快速推進，給光通信系統帶來了前所未有的片人挑戰。高速率、工智高帶功耗長距離的場景數據傳輸需求日益迫切，同時，款D寬低可用系統對功耗、激光穩定性和可靠性的器芯要求也愈發嚴苛。

在這樣的片人行業困境下，大功率DFB激光器芯片憑借其高帶寬、工智高帶功耗低功耗等特性，場景成為滿足高端應用需求、款D寬低可用推動光通信技術突破的激光關鍵組件，在數據中心高速互連、器芯人工智能算力基礎設施等場景中發揮著不可替代的作用。

9月10日，仕佳光子在投資者互動平臺表示，大功率DFB激光器芯片是公司面向高端應用開發的重要產品之一，可應用于數據中心高速互連與人工智能算力基礎設施等高帶寬、低功耗需求場景。

仕佳光子的大功率DFB激光器芯片，采用了先進的多量子阱（MQW）有源層與分布式反饋（DFB）光柵結構。這種設計不僅實現了高輸出功率，還確保了激光的單色性和高邊模抑制比（SMSR）。同時，這些芯片嚴格遵循RoHS標準，并針對Telcordia-GR468標準進行了優化，從而在可靠性和穩定性方面表現出色。下面詳細介紹其三款具有代表性的產品。

750μm 1310nm DFB激光器芯片

750μm封裝尺寸的1310nm DFB激光器芯片，是仕佳光子的一款明星產品。其峰值波長精準控制在1310nm附近，波長范圍覆蓋1300nm至1320nm。該芯片在25℃連續波工作條件下，閾值電流低至35mA，斜率效率超過0.35W/A，顯示出優異的電光轉換效率。同時，其輸出功率高達110mW，足以滿足長距離、高速率光通信系統的需求。

在應用方面，該芯片憑借其高單色性（SMSR≥45dB）和優異的遠場發散角（垂直24°，水平18°），在吉比特以太網、連續波硅光子學等領域大放異彩。其出色的性能有效降低了信號衰減，提升了傳輸距離，為光通信系統的高效運行提供了有力保障。

1000μm 1310nm DFB激光器芯片

相較于750μm版本，1000μm封裝尺寸的1310nm DFB激光器芯片在保持相同峰值波長范圍的同時，進一步優化了性能參數。其閾值電流降低至25mA（25℃連續波工作條件下），斜率效率提升至0.3W/A以上，顯示出更高的電光轉換效率。

在輸出功率方面，該芯片同樣表現出色，連續波模式下可穩定輸出高達70mW的光功率。
即使在高溫條件下（如70℃），仍能保持穩定的輸出性能，滿足不同環境下的應用需求。

該芯片廣泛應用于數據中心互聯、城域網及長途骨干網建設等領域。其高輸出功率和低閾值電流特性，有效提升了系統的傳輸容量和穩定性，為光通信網絡的擴容升級提供了有力支持。

1000μm C波段DWDM DFB激光器芯片

針對密集波分復用（DWDM）系統設計的1000μm C波段DWDM DFB激光器芯片，是仕佳光子的另一款力作。該芯片工作在C波段，峰值波長精度高達±0.4nm，確保了多通道復用時的低串擾。其閾值電流在55mA至65mA之間，斜率效率穩定在0.28W/A至0.3W/A之間，展現出穩定的電光轉換性能。

在輸出功率方面，該芯片可輸出高達65mW至70mW的光功率，滿足DWDM系統對光源功率的高要求。同時，其高單色性（SMSR≥50dB）和優異的波長穩定性，使得該芯片成為現代DWDM系統的理想光源。

該芯片廣泛應用于單TEC控制的DFB溫度控制、硅光子學等領域。其出色的性能有效提升了DWDM系統的傳輸效率和可靠性，為光通信網絡的智能化、高效化發展提供了有力支撐。